三靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標準化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸可以選擇，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購；所配電源為500W直流電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，三個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。若客戶有其他鍍膜需要，可以定制其他射頻電源和脈沖電源，各型電源均有500W到1000W多種規(guī)格可選。

鍍膜儀配有兩路高精度質(zhì)量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路，以滿足復雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標配先進的渦輪分子泵組，極限真空可達1.0E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制，可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制，在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進一步提高您的實驗效率。

三靶磁控濺射鍍膜儀應(yīng)用范圍：

三靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該三靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備

三靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

三靶直流電磁控濺射鍍膜儀
樣品臺	尺寸	φ150mm
	控溫精度	±1℃
	轉(zhuǎn)速	≦20rpm
	加熱溫度	≤750℃
磁控靶槍	數(shù)量	2” x3 （1”,2”可選）
	靶材尺寸	直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm
	水流大小	不小于10L/Min
	冷卻方式	循環(huán)水冷
真空腔體	腔體尺寸	Dia.325mm×600mm
	觀察窗口	φ100mm
	開啟方式	前開式
	腔體材料	不銹鋼
質(zhì)量流量計	2路；量程100sccm；100sccm（可根據(jù)客戶需要定制多路氣路）
真空系統(tǒng)	產(chǎn)品型號	CY-GZK103-A
	分子泵	CY-600
	抽氣接口	CF160
	排氣接口	KF40
	前極泵	旋片泵
	真空測量	復合真空計
	供電電源	AC;220V 50/60Hz
	極限真空	1.0E-5Pa
	抽氣速率	分子泵：600L/S  旋片泵：1.1L/S  綜合抽氣性能：20分鐘真空度可達： 1.0E-3Pa
電源配置	數(shù)量	直流電源x2  射頻電源 x1
	*大輸出功率	直流電源500W 射頻電源500W
其他	供電電壓	AC220V,50Hz
	整機尺寸	1090mm X 900mm X 1250mm
	整機重量	350kg
	整機功率	6KW