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光學薄膜制備相關技術 ——真空技術

日期:2024-12-22 01:42
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摘要: 真空是制備光學薄膜的基礎,當前,大部分薄膜的制備都是在真空條件下進行的。本文簡要介紹與光學薄膜制備相關的基本真空知識。 1 真空的發現 在1641年,意大利數學家托里拆利(Torricelli)在一端封閉的長玻璃管內加滿水銀,然后緩慢的將管口倒置在一個盛滿水銀的容器內,管內水銀柱的*大高度是76厘米,這時玻璃管*上方無水銀區域便是真空狀態。如果用水來代替水銀,則水柱的*大高度是10.3米。 2 真空的定義和單位 真空是在給定的空...

    真空是制備光學薄膜的基礎,當前,大部分薄膜的制備都是在真空條件下進行的。本文簡要介紹與光學薄膜制備相關的基本真空知識。


1 真空的發現


      在1641年,意大利數學家托里拆利(Torricelli)在一端封閉的長玻璃管內加滿水銀,然后緩慢的將管口倒置在一個盛滿水銀的容器內,管內水銀柱的*大高度是76厘米,這時玻璃管*上方無水銀區域便是真空狀態。如果用水來代替水銀,則水柱的*大高度是10.3米。


2 真空的定義和單位


      真空是在給定的空間內低于一個大氣壓力的氣體狀態。一般用真空度來表征真空,而真空度的高低用壓強(作用在單位面積上的力)來衡量。壓強所采用的法定計量單位是帕斯卡(Pascal),系米公斤秒制單位,是目前國際上推薦使用的國際單位制(SI),簡稱帕(Pa)。目前在實際工程技術中有幾種舊單位還在延用,幾種舊單位與帕斯卡之間的轉換關系如下:

(1)  標準大氣壓(atm):
1atm=1.01325х105Pa=760 Torr。
(2)  托(Torr):
      1 Torr=1/760atm=133.3Pa。
(3)  巴(bar): 
      1 bar= 1 atm =1000 mbar
(4)  豪巴(mbar):

      1 mbar=7.5х10-1 Torr=100Pa。


3 真空在薄膜鍍制中的作用


     氣體分子無時無刻都在做無規則的熱運動,分子與分子之間,以及分子與容器壁之間都不斷的發生著碰撞。常溫常壓條件下,氣體的分子密度約為3х1019個/cm3,每個空氣分子每秒中內要經歷1010次碰撞。氣體的分子運動軌跡就不是一條直線,而是一條不斷碰撞的同時不斷改變方向的折線。如果在這樣的環境下鍍膜,蒸發粒子將會與其它分子頻繁發生碰撞,不斷改變方向,也會增加與其它分子發生反應的幾率,蒸發速率和膜厚也就無法控制。要想避免這些不利因素,就需要我們在真空的條件下來進行。

      真空區域的劃分。為了便于討論和實際應用,常把真空劃分為:粗真空(>103Pa)、低真空(103~10-1Pa)、高真空(10-1~10-6Pa)、超高真空(<10-6Pa)四個區域。粗真空的氣態空間近似大氣狀態,分子以熱運動為主,其氣流特性以氣體分子之間的碰撞為主;低真空氣體分子的流動逐漸從粘滯流狀態向分子流狀態過渡為主,此時分子之間和分子與容器壁之間的碰撞次數差不多;高真空的氣體流動為分子流,以氣體分子與器壁碰撞為主,碰撞次數大大減少,在高真空下蒸發的材料,粒子將沿直線飛行。

      真空度是氣體分子熱運動的宏觀表現,另有微觀參量“自由程”:氣體分子之間相鄰兩次碰撞的距離,其統計平均值稱為“平均自由程”。設N0個蒸發粒子行進距離d后,未受殘余氣體粒子碰撞的數目為:Nd= N0e-d/l(1);被碰撞的分子百分數:f=1- Nd/ N0=1- e-d/l(2)根據(2)式計算可知,當平均自由程等于蒸發源到基底的距離時,有63%的蒸發粒子發生碰撞;如果平均自由程增加10倍,則碰撞的粒子數減小到9%。可見,只有在平均自由程比蒸發源到基底的距離大得多的情況下,才能有效地減少碰撞現象的發生。假如平均自由程足夠大,且滿足條件l>>d,則有:f≈d/l(3)又因為l≈0.667/P(P為壓強)(4)將(4)式代入(3)式可得:f≈1.5dP(5)為保證膜層質量,設f≤10-1。當蒸發源到基底的距離d=30cm時,則P≤2.2×10-3Pa。由(5)式可知鍍膜機的真空室越大,及蒸發源到基底的距離越長,則需要的真空度就越高。

      真空在薄膜制備中的作用有兩個:一是減少蒸發粒子與其它氣體粒子之間的碰撞,二是抑制蒸發分子與其它氣體分子發生反應。



文章來源:真空技術與設備網

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